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  • Polarizer NLO Crystals Waveplate High Power Polarization Beamsplitter EO Q-Switch

    新闻

    We will tark part in Laser World of Photonics China in 2018
    WewilltarkpartinLaserWorldofPhotonicsChinain2018.OurboothnumberisW2.2279Welcomehere
    福建汉光光电将参加2018年慕尼黑上海光博会
    福建汉光将参加2018年慕尼黑上海光博会
    We will take part in ILOPE 2017
    Boothnumber:No3.3601Welcomehere.
    我司将参加第二十二届北京光电展(ILOPE2017)
    福建汉光光电有限公司将参加第二十二届北京光电展(ILOPE2017)。展位号:3601(3号馆)时间:2017年10月11-13日欢迎届时莅临展台参观指导。
    We will take part in ILOPE 2016
    WewilltakepartinILOPE2016.Boothnumber:No3.3203Welcomehere.
    我司将参加第二十一届北京光电展(ILOPE2016)
    福建汉光光电有限公司将参加第二十一届北京光电展(ILOPE2016)。展位号:3203(3号馆)时间:2016年10月17-19日欢迎届时莅临展台参观指导。
    We will tark part in ILOPE 2014
    WewilltarkpartinILOPE2014.OurboothnumberisNo4.4512Welcomehere.
    福建汉光光电即将参加2014北京国际光电产业博览会
    2014北京国际光电产业博览会展位号:4号馆4512参展时间:2014.10.15-10.17
    上海慕尼黑光博会2014
    2014上海慕尼黑光博会展位号:E1.1546欢迎莅临参观。
    福建汉光光电圆满结束慕尼黑上海光博会2013
    福建汉光光电圆满结束2013慕尼黑上海光博会,真诚感谢各位光临我们的展台!

    联系方式

    • 电话:+86 591 83508210(国内)
    • 传真:+86 591 83448303
    • 邮箱:sales@u-photonics.com
    • 地址:福州仓山区福湾工业区齐安路
                758号4栋
    • ganoderma lucidum ANTI CANCER HERBS reishi

    铌酸锂

    铌酸锂晶体(LiNbO3)
    铌酸锂(LiNbO3) 晶体被广泛用作1000nm以上波长的倍频和1064nm泵浦光的光参量放大,也可做准相位匹配。同时,铌酸锂晶体也被广泛应用于光电调节器及波导材料, 和用作Nd:YAG,Nd:YLF和掺Ti的蓝宝石激光Q开关。汉光公司可为上述用途提供各种规格的高质量,大尺寸的铌酸锂晶体。

    铌酸锂的结构及物理属性

    晶体结构:

    Trigonal, Space group R3C, Point group 3m

    单元参数

    a=5.148Å , c=13.863 Å

    熔点

    1253°C

    居里温度

    1140°C

    莫斯硬度

    5

    密度

    4.64 g/cm3

    光学均匀性

    ~5x10-5/cm

    透明度范围

    420nm-5200nm

    吸收系数

    ~0.1%/cm@1064nm


    铌酸锂晶体的光学特性

    透明度范围

    420-5200nm

    光学均匀性

    ~ 5 x 10-5 /cm

    1064nm的折射率

    ne = 2.146, no = 2.220 @ 1300 nm
    ne = 2.156, no = 2.232 @ 1064 nm
    ne = 2.203, no = 2.286 @ 632.8 nm

    非线性系数

    d33 = 86 x d36 (KDP)
    d31 =11.6 x d36 (KDP)
    d22 = 5.6 x d36 (KDP)

     

    电光系数

    gT33 = 32 pm/V, gS33 = 31 pm/V,
    gT31 =10 pm/V, gS31=8.6 pm/V,
    gT22 = 6.8 pm/V, gS22= 3.4 pm/V,

    半波电压,直流,

     3.03 KV
    4.02 KV

    损坏阈值

    100 MW/cm2 (10 ns, 1064nm)


    Sellmeier 方程式 (l in mm):
     

    n2o=4.9048+0.11768/(λ2-0.04750)-0.027169λ2

    n2e=4.5820+0.099169/(λ2-0.04443)-0.02195λ2
    说明:
    波前畸变: 小于λ/4 @ 633 nm
    尺寸公差: (W ± 0.1 mm) x (H ± 0.1 mm) x (L ± 0.2mm)
    通 光孔径: 中心区域> 90%
    平面度:小于 λ/8 @ 633nm
    波前畸变: 小于λ/8 @ 633nm
    角度公 差: < ± 0.5°

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